問題詳情

⑵飽和區(Saturation region)時: I D =如圖一電路,其 NMOS 電晶體之  = 1 mA / V 2 ,Vt = 1 V , 試設計此電路(即求 RD 、 RS 的值),使 I D = 2 mA ,VD = 2 V : V DG  ⑴求 RD 之值;(5 分)

參考答案

答案:D
難度:簡單0.86901
統計:A(7),B(5),C(73),D(816),E(0)

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