二、有一陡接面（abrupt junction）的矽 p-n 二極體，p 型的濃度為 Na = 2 × 1016 cm，n 型的濃度為 Nd = 1 × 1016 cm−3，在零偏壓 Va = 0 之下，求出p 型區的空乏區寬度xp，n 型區的空乏區寬度 xn。若 Va = 0.5 V，求出 p 型區的空乏區寬度 xp，n 型區的空乏區寬度 xn。熱電壓 Vt = kT/q = 0.0259 V，矽的本質濃度 ni = 1.0 × 1010 cm−3，矽的介電係數Si = 11.7 × 8.85 × 10  −14 F/cm。（20 分）