五、如圖五所示的 NMOS 電路，所有增強型（enhancement-mode）MOSFET 元件的VTN =0.8V，k'n = 60μA /V2 。所有空乏型（depletion-mode）MOSFET 元件的 VTN =-2V，k'n = 60μA /V2。且 MLML3 的寬長比 (W / L) M L 2 = (W / L) M L 3 = 1 ，MDMDMD4的寬長比 (W / L) M D 2 = (W / L) M D 3 = (W / L) M D 4 = 8 。
⑴當 vX =5V，vo1=0.15V 及 MD1 與 ML1 所構成的反向器（inverter）之功率消耗不超過 250μW。試計算 MLMD1 的寬長比 (W / L) M L1 及 (W / L) M D1 。（13 分）