問題詳情
二、在一均勻半導體材料中，其本質載子濃度（intrinsic carrier concentration）為ni、本質費米能階（intrinsic Fermi energy）為Ei、費米能階（Fermi energy）為EF，當絕對溫度為T，而Boltzmann常數為kB時，其自由電子（electron）濃度n為何？電洞（hole）濃度p為何？若此半導體材料為n型，其摻雜濃度ND為 1016/cm3而ni = 1.45× 1010/cm3時，求電洞之濃度。（10 分）
參考答案
答案：B
難度：非常簡單0.958815
統計：A(43),B(5727),C(65),D(138),E(0) #
個人：尚未作答書單：形線畫、皮亞傑(J.Piaget) 與維高斯基(Vygotsky)
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