問題詳情
七、請列出兩種在矽（Si）基片上成長氧化層的方法，並簡述其成長原理及兩者成長膜之性質差異。（15 分）
參考答案
答案：D
難度：困難0.243189
統計：A(669),B(10),C(23),D(241),E(0)
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