一、如 下 圖 所 示 為 一 pseudo NMOS 反 相 器 ， Vtn | Vtp | 0.5 V ， VDD = 3 V ，kn , (W/L) n= 8kp, (W/L) p  = ：
(一)當 vI = VDD 時，求 vO。此時 QN 與 QP 各處於何種狀態？（截止區、飽和區、三極管區三者之一）說明理由。（10 分）