五、圖五電路中，已知MOSFET工作在飽和區（Saturation region），其臨界電壓為 Vt＝1 V，及物理參數為 k' n (W / L) ＝0.1 mA/V2； ⑴若i

問題詳情

五、圖五電路中，已知MOSFET工作在飽和區（Saturation region），其臨界電壓為 Vt＝1 V，及物理參數為 k' n (W / L) ＝0.1 mA/V2；

⑴若iD＝0.2 mA，求所需要的vGS＝？及vDS,min＝？（10 分）

參考答案

答案：D
難度：簡單0.849341
統計：A(79),B(67),C(173),D(1804),E(1) #
個人：尚未作答書單：七言律詩的韻腳

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