問題詳情
25. 未調變載波的峰值波封功率(PEP)與平均功率的比值為何？
(A) 0.707
(B) 1.00
(C) 1.414
(D) 2.00
(A) 0.707
(B) 1.00
(C) 1.414
(D) 2.00
參考答案
無參考答案
內容推薦
- 當示波器在連接到發射機的發射輸出的 50 歐姆假負載測量到 500 伏特峰至峰值時，則其峰值波封功率(PEP)為何？(A) 75 瓦特(B) 625 瓦特(C) 2,500 瓦特(D) 5
- 交流信號的什麼值會與直流電壓加在電阻器消耗相同的電功率？(A) 峰至峰值(peak-to-peak)(B) 峰值(peak value)(C) 均方根值(RMS)(D) 均方根值的倒數
- 峰值是 17 伏特的正弦波，其均方根值(RMS)是多少伏特？(A) 5 伏特(B) 12 伏特(C)24 伏特(D)34 伏特
- 當示波器在連接到發射機的發射輸出的 50 歐姆假負載測量到 200 伏特峰至峰值時，則其峰值波封功率(PEP)為何？(A) 4 瓦特(B) 100 瓦特(C) 35 瓦特(D) 40
- 當 0 毫安培電流流過 25 千歐姆電阻時，所消耗的電功率為幾瓦特？(A) 大約61 毫瓦特(B) 大約61 瓦特(C) 大約11 毫瓦特(D) 大約11 瓦特
- 當直流 12 伏特的電燈泡流過 0.2 安培的電流，所使用的電功率為幾瓦特？(A) 4 瓦特(B) 24 瓦特(C) 6 瓦特(D) 60 瓦特
- 當直流 400 伏特的電源加於 800 歐姆負載時，所使用的電功率為幾瓦特？(A) 0.5 瓦特(B) 200 瓦特(C) 400 瓦特(D) 3200 瓦特
- 電功率增加或減少二倍代表多少分貝的改變？(A) 大約2分貝(B) 大約3分貝(C) 大約6分貝(D) 大約12分貝
- 純電阻並聯電路的總電流與個別分支電流有什麼關係？(A) 總電流與分支電流的平均值相等(B) 更多並聯分支加入電路會使總電流減小(C) 總電流等於各個分支電流的加總(D) 總電流等於各分支電壓降
- 使用阻抗匹配變壓器的理由為何？(A) 極小化發射機輸出功率(B) 極大化功率傳輸(C) 減少電源供應器漣波(D) 極小化輻射電阻
內容推薦
- 接到發射機輸出的瓦特表顯示平均功率為 1,060 瓦特，則未調變載波的峰值波封功率(PEP)為何？(A) 530 瓦特(B) 1,060 瓦特(C) 1,500 瓦特(D) 2,120 瓦特
- 當交流電壓源接上變壓器的初級繞線後，什麼原因造成次級繞線產生電壓？(A) 電容耦合(B) 位移電流耦合(C) 互感(D) 互容
- 將 4：1 降壓變壓器的初級與次級繞線反接會發生什麼？(A) 次級繞線的電壓變成初級繞線的4倍(B) 因為是單向性裝置，變壓器將無法工作(C) 須在初級繞線加上串聯電阻以防過載(D) 須在次級
- 將三個 100 歐姆電阻器並聯後的總電阻為何？(A) 0.30 歐姆(B) 0.33 歐姆(C) 33 歐姆(D) 300 歐姆
- 現有的電阻器加上什麼元件可以增加電阻？(A) 並聯電阻器(B) 串聯電阻器(C) 串聯電容器(D) 並聯電容器
- 三個相同的電阻器串聯，其總電阻為 450 歐姆，則每個電阻是多少？(A) 1,500 歐姆(B) 90 歐姆(C) 150 歐姆(D) 175 歐姆
- 如【圖 11】所示，其戴維寧等效電路 Rth、Vth 分別為何？(A) 40kΩ、5V(B) 40kΩ、5V(C) 36kΩ、5V(D) 36kΩ、5V
- 音訊放大器的輸出阻抗 600 歐姆，要接上 4 歐姆阻抗的揚聲器，則其匹配變壓器的繞線圈數比為何？(A) 2比1(B) 4比1(C) 150比1(D) 300比1
- 將變壓器 2,250 圈的初級繞線接上交流 120 伏特，則其 500 圈次級繞線的均方根(RMS)電壓為何？(A) 2,370 伏特(B) 540 伏特(C) 7 伏特(D) 9
- 將二個 0nF(奈法拉)與一個 750pF(皮法拉)電容器並聯，則其等效電容為何？(A) 59 nF(奈法拉)(B) 1,733 pF(皮法拉)(C) 3,583 pF(皮法拉)(D
- 將三個 10mH(毫亨利)電感器並聯的等效電感為何？(A) 0.30 H(亨利)(B) 3 H(亨利)(C) 3 mH(毫亨利)(D) 30 mH(毫亨利)
- 將三個 100μF(微法拉)電容器串聯的等效電容為何？(A) 0.30 μ F(微法拉)(B) 0.33 μ F(微法拉)(C) 3 μ F(微法拉)(D) 300 μ F(微法拉)
- 將一個 20mH(毫亨利)串聯一個 50mH 電感器，則其等效電感為何？(A) 0.07 mH(毫亨利)(B) 3 mH(毫亨利)(C) 70 mH(毫亨利)(D) 1000 mH(毫亨
- 將一個 20μF(微法拉)串聯一個 50μF(微法拉)電容器，則其等效電容為何？(A) 0.07 μ F(微法拉)(B) 3 μ F(微法拉)(C) 70 μ F(微法拉)(D) 100
- 在邏輯電路用做開關的雙極(Bipolar)電晶體的工作點為何？(A) 飽和區與截止區(B) 動作區(介於截止區與飽和區之間)(C) 電流的峰點與谷點(D) 增強與匱乏模式
- 電容器加上什麼元件可以增加電容值？(A) 串聯一個電感器(B) 串聯一個電阻器(C) 並聯一個電容器(D) 串聯一個電容器
- 在射頻開關電路中使用蕭特基(Schottky)二極體，與標準矽二極體比有何優點？(A) 電容低(B) 電感低(C) 開關時間較長(D) 潰崩電壓較高
- 電感器加上什麼元件可以增加電感值？(A) 串聯一個電容器(B) 並聯一個電阻器(C) 並聯一個電感器(D) 串聯一個電感器
- 並聯一個 10 歐姆、一個 20 歐姆、一個 50 歐姆電阻器，則其總電阻為何？(A) 9 歐姆(B) 0.17 歐姆(C) 1,000 歐姆(D) 80 歐姆
- 有些高功率電晶體的外殼為何須與接地點絕緣？(A) 增加電晶體的貝他(beta)值(B) 改善散熱容量(C) 減少雜散電容(D) 避免集極或汲極與接地點短路
- 一個 22,000pF(皮法拉)電容器的電容等於多少 nF(奈法拉)？(A) 0.22 nF(奈法拉)(B) 2 nF(奈法拉)(C) 22 nF(奈法拉)(D) 2200 nF(奈法拉)
- 為什麼昇壓變壓器的初級繞線線徑比次級繞線線徑還要粗？(A) 增加初級與次級繞線的耦合(B) 容納初級繞線較大的電流(C) 防止初級繞線電阻性損失所造成的寄生振盪(D) 確保初級與次級繞線的體積
- 一個 4,700 nF(奈法拉)電容器的電容等於多少 μF(微法拉)？(A)47 μ F(微法拉)(B) 0.47 μ F(微法拉)(C) 4700 μ F(微法拉)(D) 7 μ F(微
- 如何描述金氧場效電晶體(MOSFET)的結構？(A) 閘極由反向偏壓接面形成(B) 閘極與通道由薄絕緣層隔開(C) 源極與汲極由薄絕緣層隔開(D) 源極由金屬沈積於矽晶上形成
- 三極真空管的陰極與屏極之間的電子流由什麼元件控制？(A) 控制柵(B) 加熱器(C) 屏柵(D) 觸發電極