問題詳情
⑷以砷化鎵的磊晶技術為例，請說明化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）與有機金屬化學氣相沉積（metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD）兩者的差異。
參考答案
答案：A
難度：困難0.363636
統計：A(16),B(6),C(11),D(3),E(0)
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