問題詳情

3 下圖是一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚度,此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V,VD2 = -2 V,VD = 2 V,VE = -2 V。試研判此電晶體在目前的偏壓條件下通道電流(Channel current)的主要流動方向? phpMTyK4X
(A)由右向左水平流動
(B)由左向右水平流動
(C)由上往下垂直流動
(D)由下往上垂直流動

參考答案

答案:B
難度:適中0.5
統計:A(0),B(0),C(0),D(0),E(0)

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