一、
⑴描述並繪出微影（Lithography）技術中，使用正光阻（Positive Photoresist）及負光阻（Negative Photoresist）於曝光、顯影蝕刻後薄膜形成之圖案，假設結構層為：光阻（Photoresist）/薄膜（Film）/基板（Substrate）。