二、矽（Si）薄膜在半導體製程中可利用四氯甲矽烷（SiCl4）與氫氣（H2）在平面基板上以氣相沉積方式鍍膜，設 S 為鍍膜表面活性位置（active site），整體反應機制如下： 
⑴請推導矽薄膜之生成速率表示式（rSi）。（15 分）