三、在離子佈植製程中，若以 1000 keV 的能量，將 1015/cm2 的硼劑量（boron dose）植入一 n 型 Si 中（設 Si 之摻雜濃度為 1015/cm3），又植入之硼離子的濃度分佈如圖一所示，試問：（每小題 10 分，共 20 分）
⑴請列出沿著入射方向植入之雜質離子的高斯分佈函數式為何？並說明各符號的意義（列式即可，不用推導）。