問題詳情
三、一理想金氧半場效電晶體 ，臨界電壓Vth = 1 V，介電層（MOSFET） （SiO2）厚度 10 nm，SiO2 介電係數 3.9ε 0 ， ε 0 = 8.854 ×10−14 F/cm 。（每小題 10 分，共 20 分）
⑴若汲極飽和電壓與飽和電流分別為 2.5 V 與 5 mA，請繪出汲極電壓範圍 0 ≤ Vds ≤ 5 V之輸出特性曲線並求對應此曲線之閘極電壓Vgs 。
⑴若汲極飽和電壓與飽和電流分別為 2.5 V 與 5 mA，請繪出汲極電壓範圍 0 ≤ Vds ≤ 5 V之輸出特性曲線並求對應此曲線之閘極電壓Vgs 。
參考答案
答案：D
難度：適中0.625986
統計：A(188),B(316),C(41),D(1190),E(0)
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