二、圖二電路中電晶體臨界電壓（threshold voltage）Vtn (NMOS) = |Vtp| (PMOS) = 1 V，製程參數 kn’(W/L) = 2kp’ (W/L) = 1 mA/V2，IQ = 2 mA，VG1 = 5 V，VDD、VG2 為適當之直流電壓，爾立電壓（Early voltage）均為 9 V，忽略基體效應（body effect）。求算輸入電阻 Rin（不含 RS）與增益 Av = vo/vs。（20 分）