問題詳情
一、如圖一左，在矽基板上蝕刻出一條 1µm 寬之凹槽（groove）後，另覆蓋一層 Si3N4於此矽表面上作為氧化遮罩（oxidation mask），並將此樣品送入蒸氣室作 1100 °C的氧化。問：
⑴當此凹槽完全為氧化物所填滿後，如圖一右所示，SiO2 之寬度（即 x）變成多少？（設生成 1µm 的 SiO2 會消耗 0.46µm 的 Si）（10 分）
⑴當此凹槽完全為氧化物所填滿後，如圖一右所示，SiO2 之寬度（即 x）變成多少？（設生成 1µm 的 SiO2 會消耗 0.46µm 的 Si）（10 分）
參考答案
答案：C
難度：簡單0.838884
統計：A(12),B(57),C(932),D(68),E(1)
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