問題詳情
29.關於理想金屬-氧化物-半導體場效應電晶體(MOSFET)之敘述何者為是？
(A) 閘極電流為零
(B) 偏壓為 
之增益高於偏壓為 
之增益
(C) 對於空乏型 n 通道 MOSFET， 
(D) 對於矽基 MOSFET 而言，N-MOSFET 在頻率響應的表現優於 P-MOSFET
參考答案
答案：A,B,D
難度：計算中-1
書單：沒有書單，新增
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