17 如圖之MOS差動放大器（differential amplifier），Q1=Q2，其臨界電壓（threshold voltage）Vt=0.5 V，爾利電壓（Early voltage）VA→∞。當VG1=VG2=0 時，若電晶體工作於飽和模式（saturation mode），其汲極電流ID與閘源電壓VGS的關係為ID=2(VGS-Vt)2 (mA)。 則當VG1=VG2=0 時，RD之最大值可為多大，而仍可維持電晶體工作於飽和模式？  
(A)3 kΩ
(B)4 kΩ
(C)5 kΩ
(D)6 kΩ