問題詳情

1 下圖是一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚度,此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為 |Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V,VD2 = -2 V,VD = 2 V,2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者? phpTZmU6F


(A)N-channel MOSFET(N 通道金氧半場效電晶體)
(B)P-channel MOSFET(P 通道金氧半場效電晶體)
(C) CMOSFET(互補式金氧半場效電晶體)
(D) FIN FET(鰭式場效電晶體)

參考答案

答案:A
難度:適中0.634921
統計:A(40),B(11),C(4),D(0),E(0)

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