問題詳情
70. 下列哪些選項符合碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)特性？
(A)製程簡單，價格便宜
(B)低切換損失
(C)切換速度快
(D)耐高溫。
(A)製程簡單，價格便宜
(B)低切換損失
(C)切換速度快
(D)耐高溫。
參考答案
無參考答案
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