問題詳情
2.下列有關PN接面二極體的敘述，何者有誤？
(A)矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高
(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄
(C)溫度上升時，障壁電壓上升
(D)溫度上升時，漏電流上升。
(A)矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高
(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄
(C)溫度上升時，障壁電壓上升
(D)溫度上升時，漏電流上升。
參考答案
答案：C
難度：非常困難0
統計：A(0),B(0),C(0),D(0),E(0)
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