問題詳情

39 MOSFET 中厄利效應(Early Effect)最主要之成因為何?
(A)基板和閘極之間的 p-n 接面
(B)閘極和源極之間空乏區互相影響
(C)通道長度因為閘極和汲極的逆偏而影響
(D)崩潰效應

參考答案

答案:C
難度:適中0.558824
統計:A(3),B(6),C(19),D(2),E(0)

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