問題詳情
28 若某一 n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）之臨界電壓（Threshold Voltage）Vt = 1 V，且其汲極-源極電壓差 VDS = 4 V，閘極-源極電壓差 VGS = 2V，則此電晶體係操作在下列何種區域？
(A)截止區域（cut-off region）
(B)三極管區域（triode region）
(C)歐姆區域（ohmic region）
(D)飽和區域（saturation region）
(A)截止區域（cut-off region）
(B)三極管區域（triode region）
(C)歐姆區域（ohmic region）
(D)飽和區域（saturation region）
參考答案
答案：D
難度：簡單0.772358
統計：A(5),B(8),C(10),D(95),E(0)
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