60 增強型金氧半場效型電晶體（MOSFET）的放大電路如【圖 60】所示，若 MOSFET 的參數K=0.2 2mA /V2 ，臨界電壓（threshold voltage）Vt=2V，忽略 Ci、Co 的電容效應，則此電路的小信號電壓增益 vo/vi為：
(A)-2.8
(B)-3.8
(C)-4.8
(D)-5.8