問題詳情

二、若有一理想 n 型矽半導體與一理想矽 pn 接面二極體,其元件結構如圖 2 所示。(每小題 10 分,共 20 分)
⑴請繪出此兩個元件於照光(光能量>矽能隙寬度)前與後的 I-V 特性曲線。

參考答案

答案:D
難度:適中0.574987
統計:A(184),B(200),C(102),D(1085),E(0) #
個人:尚未作答書單:智能障礙的鑑定標準、國際健康功能與身心障礙分類系統」(International Classification of Functioning, Disability and Health, ICF)。、身心障礙者權益保障法第 5 條

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