問題詳情
76. 有關金氧半場效應電晶體(MOSFET)特性敘述，下列何者正確？
(A)N 通道增強型之閘源極電壓(VGS)需大於臨界電壓(VT)才能導通電流
(B)閘源極電壓(VGS)為零時，增強型比起空乏型結構上少了通道
(C)P 通道增強型之臨界電壓(VT)正值
(D)N 通道空乏型之夾止電壓(VP)為負值。
(A)N 通道增強型之閘源極電壓(VGS)需大於臨界電壓(VT)才能導通電流
(B)閘源極電壓(VGS)為零時，增強型比起空乏型結構上少了通道
(C)P 通道增強型之臨界電壓(VT)正值
(D)N 通道空乏型之夾止電壓(VP)為負值。
參考答案
答案：A,B,D
難度：非常困難0
統計：A(0),B(0),C(0),D(0),E(0)
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