問題詳情

50. 有關IGBT之敘述,下列何者正確?
(A) 較MOSFET之耐壓低
(B) 較BJT功率電晶體有更高之工作速度
(C) 較MOSFET之電流增益低
(D) 較BJT功率電晶體之閘極輸入阻抗低

參考答案

答案:B
難度:適中0.5
統計:A(0),B(0),C(0),D(0),E(0)

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