問題詳情

三、如圖電路,Qn與Qp均為增強型MOS電晶體,其臨界電壓Vtn = |Vtp| = 1 V,其輸出電阻ro均為∞。當工作於飽和區(Saturation Region)之汲極電流iDn與iDp分別為:iDn = 0.5 × (VGS − Vtn)2(mA):此VGS為Qn之VGS。 VDDiDp = 0.5 × (VSG − |Vtp|)2(mA):此VSG為Qp之VSG。VDD = 8 V,VG = 3 V。
⑴求vi之值,使Qn、Qp均工作於飽和區,此時之iD =?vo =?(8 分)

參考答案

答案:D
難度:非常簡單0.96
統計:A(14),B(11),C(7),D(768),E(0)

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