問題詳情
二、某點之平面應力狀態如圖所示。計算其：
⑴主應力（5 分）
⑴主應力（5 分）
參考答案
無參考答案
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- ⑵A、B 質量塊分別之加速度；（10 分）
- 三、有關冷凍庫的顯熱負荷，請回答以下問題：⑴冷凍庫某一面外牆的穩態熱傳（W）之計算為 Q=UA△T，△T 是冷凍庫內外溫差，外牆面積為 A，假設外牆是單一保溫材料，其厚度為 L，熱傳導係數為
- 二、自四所高中隨機抽樣學生參加英文檢定考試，令Y=成績，X1=在校英文成績，X2=每週讀英文之時數，(X3,X4,X5)=(1,0,0)為甲校學生，(X3,X4,X5)=(0,1,0)為乙校學生，(X
- ⑷就分析二，如年資的單位由年改為月，那些數值會改變？並求改變後之值。（10 分）
- ⑶說明 A1 級冷媒與 A2 級冷媒之主要差異。（5 分）
- ⑶就分析二，在固定年資水準下，如工作時數增加一小時，檢定平均業績之增加量是否低於 0.5？列出 H0及 H1，並檢定之。（α=0.025）（10 分）
- ⑵新的冰箱已採用異丁烷（isobutane）作為冷媒，提出異丁烷取代 R134a 冷媒的原因。（10 分）
- 二、有關冷媒的選用，請回答以下問題：⑴冷凍系統冷媒的理想性質為何？舉出三項，並說明其重要性。（10 分）
- ⑶實務上卡諾冷凍循環可否實現？請說明之。（5 分）
- ⑵比較卡諾冷凍循環與理想逆朗肯（reverse Rankine）冷凍循環，可用 T-S 圖比較說明。（10 分）
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- 在室溫下，欲使矽晶體中之電子脫離共價鍵成為自由電子，至少需要多少能量？(A) 0.47 ev (B)0.72 ev (C) 1 ev(D)43 ev
- ⑶兩條繩子分別之拉力大小。（10 分）
- ⑵如冷凍庫的內外溫差 40℃，k 值為 0.04 W/(m℃)，hi及 ho分別為 0 W/(m2℃)及0 W/(m2℃)，如要將外牆顯熱負荷降至 0 W/m2，計算應有的保溫厚度
- 關於稽納二極體的特性，下列敘述何者正確？(A)能在定電壓下調整電流，故可用來設計穩壓電路(B)能將電能轉為光能，故可做為數字顯示器(C)是一種閘流體，故可做相位控制電路(D)是一種感測元件，適合做
- 二、如圖所示之均質矩形塊，初始時在無摩擦之平面上以等速度 v1＝7 m/s 向右滑動，撞擊在 B 點之微小突起而邊角 A 完全被擋下（perfectly plastic impact），造成矩形塊
- ⑶建議降低保溫厚度的方法。（5 分）
- 某整流電路輸出的直流電壓為 30 V，交流漣波電壓為 5 V(rms)，則此整流電路之漣波因數 r %為何？(A) 0.1% (B)5% (C) 5%(D)20%
- 四、下圖為 R-717（ammonia）冷媒的 Mollier 圖，請參考並回答以下問題：⑴當冷凝溫度 40℃蒸發溫度-20℃，計算冷凍系統的性能係數（COP），假設理想冷凍循環及等熵壓縮。（
- 欲使 NPN 雙載子接面電晶體(BJT)工作於作用區(Active region)，應如何施加偏壓？(A) (B) (C) (D)
- 某電源供應器在空載時輸出電壓為 22 伏特，滿載時輸出電壓為 20 伏特，則電壓調節率為何？(A) 8% (B)3% (C) 1%(D)10%
- 四、某空調空間使用一單區空氣調節器，其顯熱與潛熱增量分別為 65 kW 與 8 kW，此空間欲保持在 24℃與 50%相對濕度，而室外空氣的設計條件為 35℃乾球溫度與25℃濕球溫度。為了通風，室外空
- 在室溫下，欲使矽晶體中之電子脫離共價鍵成為自由電子，至少需要多少能量？(A) 0.47 ev(B) 0.72 ev(C) 1 ev(D) 43 ev
- ⑵比較分析一與分析二，每週工作時數與業績之關係有何差異？你會採用那個模式？為什麼？（α=0.05）（15 分）
- 關於稽納二極體的特性，下列敘述何者正確？(A)能在定電壓下調整電流，故可用來設計穩壓電路(B)能將電能轉為光能，故可做為數字顯示器(C)是一種閘流體，故可做相位控制電路(D)是一種感測元件，適合做
- 如圖所示的通電線圈內的磁通方向是： (A)從左到右(B)從上到下(C)從右到左(D)從下到上
- 某整流電路輸出的直流電壓為 30 V，交流漣波電壓為 5 V(rms)，則此整流電路之漣波因數 r %為何？(A) 0.1%(B) 5%(C) 5%(D) 20%
- ⑷計算此梁腹版的最大剪應力（shear stress）。（10 分）
- 下列細胞存活曲線相關參數所表示的意義何者錯誤？(A) D0 指細胞存活率以指數方式減少至原始值的 37 %所需的劑量(B) D0 指初始斜率，D1 指末端斜率(C) D10 指細胞存活率減少至
- 某電源供應器在空載時輸出電壓為 22 伏特，滿載時輸出電壓為 20 伏特，則電壓調節率為何？(A) 8%(B) 3%(C) 1%(D) 10%
- Na(Tl)閃爍體測得 137Cs 662 keV 光子的康普吞邊緣(Compton edge)為多少 keV？(A) 151 (B) 184 (C) 478 (D) 511
- ⑵若要得最大量的 B，應如何進行此反應？
- 三、有一不可逆基本（elementary）氣相反應2A → B+ C含 100 kg 觸媒在填充床反應器中進行反應。進口壓力為 20 atm，出口壓力為 4 atm，轉化率達 50%。今加入含有 20
- ⑵有沒有更好的方法進行此反應，請說明。
- 四、有一恆溫氣相不可逆基本反應A + B → CA 的進料流率為 10 mol/min，A 和 B 為等莫耳流率，A 的進料濃度為 0.4 mol/dm3。（每小題 10 分，共 20 分）⑴
- ⑵若有更好的抗震結構系統且同時也可以滿足上段的條件時，試繪圖簡要（100 字以內）說明之。（10 分）