5 如圖所示一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 |Vth| = 0.5 V 。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V， VE = -2 V。若 VE 由-2 V 增加到-3 V，試判斷此電晶體的臨界電壓的絕對值|Vth|如何變化？
(A) |Vth| 增加
(B) |Vth |減少
(C) |Vth |不受影響
(D) |Vth| 會受影響，但增加或減少由接面的功函數（work function, φf）決定