問題詳情
48. 有關一般MOSFET汲、源極切換(switch )操作之敘述，下列何者正確？
(A) 較IGBT之耐壓低
(B) 較IGBT之動作時間慢
(C) 較IGBT之導通電阻大
(D) 較IGBT之飽和電壓高
(A) 較IGBT之耐壓低
(B) 較IGBT之動作時間慢
(C) 較IGBT之導通電阻大
(D) 較IGBT之飽和電壓高
參考答案
無參考答案
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