問題詳情
13.關於半導體偵檢器的特性，下列敘述何者錯誤？
(A)必須配合使用光電倍增管，以放大訊號
(B)操作時必須使用液態氮冷卻，方能增加偵測正確性
(C)Ge(Li)比Si(Li)有較高偵測效率
(D)產生一離子對所需的能量比游離腔為小
(A)必須配合使用光電倍增管，以放大訊號
(B)操作時必須使用液態氮冷卻，方能增加偵測正確性
(C)Ge(Li)比Si(Li)有較高偵測效率
(D)產生一離子對所需的能量比游離腔為小
參考答案
答案：A
難度：適中0.561151
統計：A(78),B(32),C(5),D(4),E(0)
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