問題詳情

一、化學氣相沉積(CVD)製程操作於表面反應受限區(surface-reaction-limited regime),已知波茲曼常數 k = 1.38 × 10-23 J/K,e = 1.6 × 10-19 C,假設先導物(precursor)濃度不變,請求出:(每小題 10 分,共 20 分)
⑴反應速率活化能 Ea = 0.5 eV 固定,T = 450 K 之反應速率為 T = 400 K 之幾倍?

參考答案

答案:D
難度:簡單0.720752
統計:A(143),B(52),C(40),D(844),E(0)

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