問題詳情

39 當MOSFET工作於飽和區(saturation region)時,其ID與VGS的關係為何?(下式中Vt為MOSFET之臨限電壓(threshold voltage)) 
(A)ID與VGS幾乎無關 
(B)ID正比於VGS 
(C)ID正比於(VGS-Vt) 
(D)ID正比於(VGS-Vt)2

參考答案

答案:D
難度:簡單0.829268
統計:A(1),B(3),C(0),D(34),E(0)

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