問題詳情
42.【圖 42】所示之電路中 VE = 1V、 
，則下列敘述何者正確？
(A)IB = 50mA
(B)IC = 770mA
(C)b = 53
(D)a = 0.97
參考答案
答案：D
難度：計算中-1
書單：沒有書單，新增
內容推薦
- 當 P 型及 N 型材料相接觸時，即會產生一空乏層，而 P 型半導體之空乏層內應有：(A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子
- P 型半導體中，傳導電流的載子主要是：(A)電子 (B)電洞 (C)質子 (D)離子
- 有關放大器加上負回授之後的效果，下列敘述何者錯誤？(A)頻寬增加 (B)非線性失真減少 (C)增益減少 (D)穩定度增加
- 某一電子系統的頻率響應圖中，在斜率為-40 dB/dec 的線段上，若頻率為 10 kHz 的增益為 5，則 100 kHz 時的增益為何？(A) 0.05 (B) 0.5 (C)5 (D) 5
- 有關共汲極 MOSFET 放大器的敘述，下列何者錯誤？(A)等效輸入電阻很高 (B)電流增益很高 (C)電壓增益小於 1 (D)等效輸出電阻很高
- 一交流電壓的基本波(fundamental)振幅為 1 ，三次諧波(harmonic)與五次諧波分別為 0.4 與 0.3 ，其總諧波失真(total harmonic distortio
- 變壓器的電壓調整率可以表示為下列何者？(A)（無載電壓－額定電壓）÷額定電壓(B)（無載電壓－額定電壓）÷無載電壓(C)額定電壓÷（無載電壓＋額定電壓） (D)無載電壓÷（無載電壓＋額定電壓）
- 一 n 型通道 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage)為 Vp，其操作於歐姆區(ohmic region)的條件為何？(A) (B) (C) (D)
- 一單級差分放大器(difference amplifier)在某一頻率的差模(differential-mode)增益為 20 dB、共模(common-mode)增益為-10 dB，其在該頻率
- 當溫度上升時，下列何項 FET 參數亦隨之上升？(A)載子遷移率(mobility)(B)MOSFET 的導電參數(C) JFET 的跨導參數(transconductance paramete
內容推薦
- 某電路元件的電壓為 60sin(t+60°) 伏特、電流為 2sin(t+15° )安培，該元件的阻抗為何？(A)30∠45°(Ω) (B)30∠125°(Ω) (C)30(Ω) (D)2
- 如【圖 58】所示之電路，Vo 約為何？ (A) 3V(B)2V(C)1V(D)-2V
- JFET 之工作原理為何？(A)控制通道之導電係數 (B)控制通道空乏區之厚度(寬度)(C)控制通道接面之電流 (D)控制通道中的載子濃度
- 相較於 BJT 之特性，下列何者非 FET 之優點？(A)負溫度特性 (B)操作速度較快 (C)高輸入阻抗 (D)製造密度高
- 某負載的電流為 Imsin(ωt)，當 時的瞬間電流值為 30mA，則該負載電流的有效值為何？(A)30 mA (B)43 mA (C)55 mA (D)50 mA
- 某電阻的電阻值為 22kΩ±5%，則其色碼標示為何？(A)黃黃橙金(B)黃黃橙銀(C)紅紅橙金 (D)紅紅橙銀
- 某一 300/5A 貫穿式比流器附裝安培計用以量測線路電流，若安培計讀值為 3 安培，則實際線路電流為何？(A)0.05 安培 (B)5 安培 (C)180 安培 (D)10800 安培
- 若一個正弦波在 4μ s 完成 8 個週期，則下列何者正確？(A)週期 T：2μ s(B)頻率 f：2 kHz(C)角速度 ω：28 M rad/sec (D)0.1 μ s 的角位移為 1
- 某電路擬裝置可承受 2 安培電流的 100Ω 電阻，則選用電阻之瓦特數至少需大於多少才適當？(A)200 瓦 (B)400 瓦 (C)600 瓦 (D)800 瓦
- 【圖 50】電路中，通過 R1的電流為 I1，R4 兩端點的電壓為 V4，請問 I1, V4各為何？ (A)I1=3A、V4=9V (B)I1=3A、V4=6V(C)I1=2A、V4=9V (D
- 矽半導體本質(Intrinsic)濃度 原子／cm3，在密度為 原子／cm3中，每 108個矽原子加入一個硼原子，則電子濃度應為多少電子／cm3？(A) (B) (C) (D)
- 有一個變壓器，其一、二次側匝數比為 2:1，一次側線圈接上 220 V，則二次側的電壓為：(A)440 (B)220 (C)110 (D)55
- 下列何者是造成電氣設備漏電的原因？(A)用電量太大(B)導線規格太細(C)電氣設備受潮或絕緣破損 (D)未接地
- 某電阻與電感元件並聯後的功率因數為 k，試問將此兩元件串聯則其功率因數為何？(A)k (B) (C)(D)
- 一半波整流電路，若輸入交流電壓為 110 伏特有效值，RL的阻值為 4kO，求直流輸出電壓 約為多少伏特？(A)35(B)5(C) 5 (D)70
- 設計一具濾波電容 C 與負載 RL之全波整流電路，其輸入信號為 Vi=120sin(2πx60t)，要求漣波電壓 Vr 為 2 V，若 RL=10kO，則濾波電容 C 至少應為多少？(A)50
- 某差動放大器的 CMRR 為 100dB，Ad為 100，當共模輸入電壓為 10mV 時，其輸出電壓為何？(A)1 mV(B)100 µV(C) 10 µV (D)1 µV
- 三個MOS 元件 A、B、C， 其閘極寬度(W)與長度(L)分別為 W/L=1µm/10µm, W/L=1µm/20µm, W/L=2µm/10µm,其餘條件都相同，在相同操作電壓且處於飽和區內
- 某電路電流為 I=20+j40 安培 、電壓為 V=100+j50 伏特，則下列數值何者正確？(A)功率 P = 2000 W(B)虛功率 Q = -5000VAR(C)視在功率 S = 500
- 設計一具有交換電壓為 電源電壓一半之 CMOS 反相器，假設 NMOS 與 PMOS 之臨界電壓 且具有相同通道長度，而其移動率(mobility) ，則 PMOS 與 NMOS 電晶體寬度的
- 某可調變阻抗之元件與阻抗 4+j3(Ω)串聯後由電源 16∠0°V 供電，當該元件阻抗設定為 ZL 時可使元件獲得最大功率為 ，則 ZL與 為何？(A)ZL=4-j3Ω， =16 W (B)ZL
- 一般導線的電阻與下列何者成反比？(A)導線長度(B)導線的電阻係數(C)導線周圍溫度 (D)導線截面積
- 帶電量為 QQ2 的兩電荷放置於空氣中，當電荷間的距離為 4 公尺，則電荷間作用力為 4 牛頓。如帶電量為2Q1 與 Q2 的兩電荷在空氣中距離為 8 公尺時，其電荷間作用力為何？(A)1
- 某鐵心繞 100 匝線圈時電感值為 L1，繞 200 匝線圈時電感值為 L2，則 L2 為 L1 的幾倍？(A)0.25 倍 (B)0.5 倍 (C)2 倍 (D)4 倍
- 某電阻溫度係數為 0.003 的合金導線在溫度 20°C 時電阻值為 10Ω，則 40°C 時其電阻為何？(A)6 Ω(B)10 Ω (C)8 Ω (D)4 Ω