二、圖二為由兩個相同的N通道（N-channel）MOS電晶體所組成的電路，已知單一個NMOS電晶體之參數為：臨界電壓（threshold voltage） Vt＝1 V、製程轉導參數（process transconductance parameter） μnCox＝ 120 μA/V通道長度（channel length） L＝1 μm、製程技術參數（process-technology parameter） λ = 0 V-1。若欲使該電路具有之電氣數值為：VDD＝10 V、I＝240 μA、V1＝5 V、V2＝2 V，試求：
⑴NMOS電晶體Q1及Q2之閘極寬度（gate width）。 （10 分）