問題詳情

三、Si 於電漿中被蝕刻是根據以下之反應:Si(s) + 2Cl2(g) → SiCl4(g)。若通入氯氣流量為 100 sccm,請問理論之 200 mm 直徑之矽晶圓最大蝕刻率為多少?(Si atom weight: 28.09,Density: 2.329 g/cm3)(15 分)

參考答案

答案:D
難度:簡單0.807018
統計:A(88),B(36),C(19),D(598),E(0)

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