問題詳情
43.下列有關局部活動義齒鈷鉻合金支架(Co-Cr metal framework)製作之敘述,何者錯誤?
(A)由於熔點高,需用高溫包埋材(high-heat investment),如石膏結合二氧化矽材料(plaster-bonded silica material)
(B)由於鑄造收縮率高達 2.3%以上,會使用無環鑄造(ringless casting technique)
(C)由於高溫包埋材緻密性佳,鑄造時不易排氣,故要有排氣道(vent)
(D)由於熔點高,且鑄造金屬量大,宜選用電感應(electric induction)鑄造機
(A)由於熔點高,需用高溫包埋材(high-heat investment),如石膏結合二氧化矽材料(plaster-bonded silica material)
(B)由於鑄造收縮率高達 2.3%以上,會使用無環鑄造(ringless casting technique)
(C)由於高溫包埋材緻密性佳,鑄造時不易排氣,故要有排氣道(vent)
(D)由於熔點高,且鑄造金屬量大,宜選用電感應(electric induction)鑄造機
參考答案
答案:A
難度:困難0.388889
統計:A(21),B(6),C(0),D(7),E(0)
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