問題詳情

6 關於增強型金氧半場效電晶體(MOSFET)之敘述,下列何者錯誤?
(A)固定汲極電流ID條件下,電晶體操作在飽和區(Saturation Region)之轉移電導值(Transconductance)gm較操作在三極管區(Triode Region)時大
(B)固定汲極電流ID條件下,電晶體操作在飽和區(Saturation Region)時之輸出阻抗ro較操作在三極管區(Triode Region)時小
(C) N 通道金氧半場效電晶體導通時之閘極電壓比源極電壓高
(D) P 通道金氧半場效電晶體靠電洞導電

參考答案

答案:B
難度:適中0.428571
統計:A(6),B(18),C(7),D(2),E(0)

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