二、閘極介電層製程含三層，材料之厚度分別為 30 nm（Al2O3）、20 nm（HfO2）及10 nm（ SiO 2 ），已知其介電常數（ dielectric constant）分別為 9（ Al2O3 ） 、25（HfO2）及 3.9（SiO2），請求出：（每小題 10 分，共 20 分）
⑴三層堆疊換算成 SiO2 之等效厚度（equivalent oxide thickness）為多少？