問題詳情
五、下圖反相器電晶體的特性為Vtn = | Vtp | =1V、VA = ∞、 μnCox = 2 μpCox = 250μA/V2 。當VI由0 V增加到5 V，NMOS 與 PMOS 電晶體會歷經五種不同的操作模式的組合，依序為 A、B、C、D、E 五區：
⑴製表說明各區電晶體的操作模式（OFF/SAT/LINEAR）。（5 分）
⑴製表說明各區電晶體的操作模式（OFF/SAT/LINEAR）。（5 分）
參考答案
答案：D
難度：簡單0.882081
統計：A(101),B(82),C(21),D(1526),E(0)
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