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- 四、⑴一運算式(expression)為:–a+(z+f)/y–b*a/c+d,請依運算元優先順序,繪出其二元樹(binary tree)。(10 分)
- ⑵請以兩個運算式實例{A*[B−(C+D)+8]−16}及{A+[B−(C+5])},分別說明此演算法判斷的過程及結果。(10 分)(注意:未說明判斷的過程,不予計分)
- 三、⑴請說明使用何種資料結構及其演算法,可有效判斷一運算式(expression)中的巢狀(nested)括號是否正確配對(matched)。(10 分)
- ⑵農產運銷現代化涵蓋那些內涵?請至少列出 5 項。
- 三、試解釋下列有關植生調查之名詞,並說明其調查目的、分析方法與適用範圍。(每小題 10 分,共 20 分)⑴穿越線調查法
- 二、請使用 C 或 Java 語言寫一副程式 void merge(int [] A, int [] B, int [] C, int n),此副程式將對兩個長度為 n 且已依小到大排序的整數陣列 A
- 二、植生工程應用之表土材料與客土材料有何不同?設計時應如何規範其品質?坡面噴植基材使用之客土材料與樹木穴植之客土材料有何基本上之不同,試分別說明之。(25 分)
- ⑵請分析修改後的二元搜尋法其最差時間複雜度(worst case time complexity)以 order Θ的方式表示。(5 分)(注意:不可將此陣列數值進行排序,請加註解說明程式碼作
- 01年4月1日奉准發行公司債,票面利率6%,該公司債於當年5月1日出售,公司債到期日為04年4月1日,每年4月1日及10月1日付息,採直線法攤銷溢、折價,02年4月1日之付息分錄如下:則該公司債
- ⑶試求出這兩組試驗 Skempton 的孔隙水壓參數為何?(= A⋅ B)(3 分)
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- 設X為隨機變數,機率函數為 ,則y=? (A) 1/6(B) 1/9(C) 1/12(D) 1/15
- ⑵以熱氧化法成長的二氧化矽(SiO2)薄膜,起初成長的二氧化矽薄膜厚度與時間成線性關係,隨著時間增長,二氧化矽薄膜厚度與時間的開根號成正比。請說明這兩者的物理機制,這兩種機制分界處的二氧化矽薄
- 四、考慮下列的 BNF 法則:⑴假設 C1 和 C2 是由 〈condition〉 展開的程式碼,S1 和 S2 是由 〈statement〉 展開的程式碼,畫出 〈conditional s
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- ※左下圖為獨立國協濕地河川分布示意圖。請問下列各題:濕地形成和下列何者關係最「小」? (A)河川流向 (B)地勢低平 (C)永凍層分布廣泛 (D)地質結構以地臺為主。
- ⑶請比較使用銅優於鋁作為導線製程技術的原因,至少列出三項。(10 分)
- ⑵ CD 切斷後之瞬間。 (10 分)
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- ⑷請列出乾式蝕刻優於濕式蝕刻的優點,至少列出四項。(10 分)
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- ⑵請寫出 pn 二極體中的接面定律(Law of the Junction)方程式,並說明其物理意義。(10 分)
- 下列有關t分配敘述,何者不正確?(A)期望值為0(B)偏態係數為0 (C)峰態係數為3(D)t分配較常態分配曲線平坦,即t分配曲線的高度較低。
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- 二、⑴關於 npn 雙極性電晶體,若基極(Base)區使用漸進式(Graded)濃度的結構,請說明它可以提供的優點。(10 分)
- 6 設矩陣 ,則A3-2A2-A 為何?(A) 0 (B) 2A (C)3A (D)− 3A
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- ⑵高電子遷移率電晶體(High-Electron-Mobility Transistor, HEMT)為常用於高頻通訊的元件之一,因為這種元件具有可以在低溫時降低雜質散射(Impurity S
- ⑵某渦輪扇發動機(turbofan engine)在海平面靜力試驗之推力為 10,000 N,燃料流量率為 6,000 kg/hr,若核心空氣(core flow)流率為 100 kg/s,旁通比(b
- 11•有四组數字 Gl=(5,5,5,5,5)、G2=(7,6,5,6,7)、G3=(9,7,5,7,9)、G4=(3,4,5,4,3),哪一組資料的標 準差最大?(A) G1(B) G2(C) G3