問題詳情
21 一個操作於飽和區的 MOS 電晶體，其汲極電流 ID與過激電壓 Vov（Overdrive Voltage, VGS－Vt）的關係為：
(A)
(B)
(C)
(D)
(A)
(B)
(C)
(D)
參考答案
答案：D
難度：簡單0.8125
統計：A(2),B(2),C(6),D(65),E(0)
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