問題詳情

10 若某空乏型 NMOS 場效電晶體之臨界電壓為 Vt,其參數電流 IDSS 是電晶體:
(A)工作在三極管區(Triode)且電壓 VGS=0V 之電流
(B)工作在三極管區(Triode)且電壓 VGS=Vt 之電流
(C)工作在飽和區(Saturation)且電壓 VGS=0V 之電流
(D)工作在飽和區(Saturation)且電壓 VGS=Vt 之電流

參考答案

答案:C
難度:適中0.5
統計:A(0),B(0),C(0),D(0),E(0)

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