問題詳情
題目二：假設金氧半電晶體(MOS)參數如下，NMOS: µnCox = 200 µA/V2, VTn = 0.4 V，
(1)利用【圖二 (a)】設計一電流 I 為 10µA，且 RS = 40 kΩ 之電流源，電晶體必須工作在飽和區，求所需之 M1之大小，即求(W/L)值，及ＶGS值。【10 分】
(1)利用【圖二 (a)】設計一電流 I 為 10µA，且 RS = 40 kΩ 之電流源，電晶體必須工作在飽和區，求所需之 M1之大小，即求(W/L)值，及ＶGS值。【10 分】
參考答案
答案：A
難度：簡單0.814961
統計：A(207),B(9),C(7),D(1),E(0)
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