問題詳情
2 在相同的偏壓下，若欲使金氧半場效電晶體（MOSFET）的iD電流增加，可以：
(A)增加通道長度 L，但是固定通道寬度 W
(B)增加通道長度 L，並減少通道寬度 W
(C)減少通道長度 L，並增加通道寬度 W
(D)固定通道長度 L，並減少通道寬度 W
(A)增加通道長度 L，但是固定通道寬度 W
(B)增加通道長度 L，並減少通道寬度 W
(C)減少通道長度 L，並增加通道寬度 W
(D)固定通道長度 L，並減少通道寬度 W
參考答案
答案：C
難度：簡單0.75
統計：A(2),B(2),C(21),D(1),E(0)
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