20 若要使一操作於飽和區的 MOS 電晶體的轉導值增為 2 倍，可藉由下列的何種方式改變汲極電流 ID來達成？(A)將 ID增為 4 倍 (B)將 ID增為 2 倍 (C)將 ID增為倍 (D)將

問題詳情

20 若要使一操作於飽和區的 MOS 電晶體的轉導值增為 2 倍，可藉由下列的何種方式改變汲極電流 ID來達成？
(A)將 ID增為 4 倍
(B)將 ID增為 2 倍
(C)將 ID增為

倍
(D)將 ID減半

參考答案

答案：A
難度：適中0.560976
統計：A(69),B(26),C(16),D(10),E(0)

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