問題詳情

三、在矽材料中已知常溫下之本質載子濃度ni = 1.5×1010 cm-3,1kT/q = 0.0259 V,q = 1.6×10-19 C,熱平衡下之電洞濃度po = 5×1010 cm-3,電洞之位移率μp=850 cm2/V.S,電子之位移率μn=120 cm2/V.S,請求出該材料之熱平衡電子濃度no=?電阻率(resistivity)ρ=?(15 分)

參考答案

答案:C
難度:適中0.483607
統計:A(359),B(37),C(472),D(108),E(0)

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