問題詳情

1. 有關半導體特性的敘述,下列何者正確?
(A)當加逆向偏壓於PN接面時,空乏區會變窄
(B)在本質半導體摻雜五價元素,可形成N型半導體
(C)在純質矽(silicon)晶片內摻入磷(P)後可產生P型半導體
(D) N型半導體中的多數載子為電洞

參考答案

答案:B
難度:適中0.5
統計:A(0),B(0),C(0),D(0),E(0)

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