問題詳情
19. 下列對於半導體之敘述，何者錯誤？
(A) 當加逆向偏壓於 PN 接面時，空乏區會變窄
(B) 當加順向偏壓於 PN 接面時，空乏區外存在擴散電容
(C) 在本質半導體中摻雜五價元素，可形成 N 型半導體
(D) 當加小於崩潰電壓之逆向偏壓於 PN 接面時，仍有少數載子流動，此為逆向飽和電流
(A) 當加逆向偏壓於 PN 接面時，空乏區會變窄
(B) 當加順向偏壓於 PN 接面時，空乏區外存在擴散電容
(C) 在本質半導體中摻雜五價元素，可形成 N 型半導體
(D) 當加小於崩潰電壓之逆向偏壓於 PN 接面時，仍有少數載子流動，此為逆向飽和電流
參考答案
答案：A
難度：簡單0.818182
統計：A(9),B(0),C(1),D(1),E(0)
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